NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。

NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。若果溶化作用在真空之下進行，核素本身會即時在靶表面上形成光亮的等離子羽狀物。激光加熱方法特別適用于蒸發(fā)那些成分比較復(fù)雜的合金或化合物材料，比如近年來研究較多的高溫超導(dǎo)材料YBa2Cu3O7等。

NPD-4000（A）全自動PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。若果溶化作用在真空之下進行，核素本身會即時在靶表面上形成光亮的等離子羽狀物。激光加熱方法特別適用于蒸發(fā)那些成分比較復(fù)雜的合金或化合物材料，比如近年來研究較多的高溫超導(dǎo)材料YBa2Cu3O7等。

NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、 250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制，*的安全

NMC-3000 PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。